汉中定做变频控制柜公司

通常汉中变频控制柜小功率锗二极管的正向电阻值为300~50092，硅管为1k或更大些。锗管反向电阻为几十千欧，硅管反向电阻在500kΩ以上(大功率二极管的数值要大得多)。正反向电阻差值越大越好。用数字式万用表测二极管时，红表笔接二极管的正极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好相反。使用指针式万用表测试的方法是：将指针式万用表置于R×100挡或Rx1k挡，测汉中变频控制柜二极管的电阻，然后将红表笔和黑表笔交换一下再测。

应该注意的是：汉中变频控制柜不能一开始测量就将两块万用表置于R×1挡，以免电流过大损坏发光二极管。光敏二极管(接收管)的检泱，电阻测量法，用黑纸或黑布遮住光敏二极管的光信号接收窗口，然后用万用表R×1k挡测量光敏二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值在10~20k之间，反向电阻值为∞(无穷大)。若测得正、反向电阻值均很小或均为无穷大时，则说明该光敏二极管漏电或开路损坏。再去掉黑纸或黑布，使汉中变频控制柜光敏二极管的光信号接收窗口对准光源，然后观察其正、反向电阻值的变化。

用晶体管直流参数测试表测量。二极管反向击穿电压(耐压值)也可以用汉中变频控制柜晶体管直流参数测试表来测量。其方法是：测量二极管时，将测试表的“ NPN/PNP”选择键设置为NPN状态，再将被测二极管的正极接测试表的“c”插孔内，负极插入测试表的“e”插孔，然后按下“VgR”键，测试表即可指示出二极管的反向击穿电压值。数字式万用表检测二极管注意事项，利用汉中变频控制柜二极管检测挡测量正向电压时，若将晶体二极管的正、负极接反，将会显示溢出符号“1”，这时可交换两支表笔再测。

通电试车中要注意有无严重跳火、异常气味、异常声音等现象，一经发现应立即停车，切断电源。注意汉中变频控制柜检查元器件的温升及电器的动作程序是否符合电气设备原理图的要求，从而发现故障部位。通电检查要求及方法，(1)被控制设备的正常运行，是由电气线路和机械系统互相协调配合实现的；设备出现停止运行，不一定都是电气原因，也有可能是机械问题所造成的。因此，最好将负载暂时切除。(2)通电检查应在不带负载下进行，以免发生事故。(3)断开全部开关，取下各熔断器，再按顺序，逐一插入需要检查部位的熔断器，合上开关，观察有无冒烟、打火花、熔体熔断等现象，然后再观察各元器件是否能按要求顺序动作，汉中变频控制柜认真地逐项检查，以免故障范围扩大。

正、负极性的判别，汉中变频控制柜红外发光二极管多采用透明树脂封装，管芯下部有一个浅盘，管内电极宽大的为负极，而电极窄小的为正极。也可从管身形状和引脚的长短来判断。通常，靠近管身侧小平面的电极为负极，另一端引脚为正极。长引脚为正极，短引脚为负极。性能好坏的测量，用万用表R×10k挡测量红外发光二极管有正、反向电阻。正常时，正向电阻值约为15~40k2此值越小越好)；反向电阻大于500kg(用R×10k挡测量，反向电阻大于200k92)。若测得正、反向电阻值均接近零时，则说明汉中变频控制柜该红外发光二极管内部已击穿损坏。

检测容量在10pF~0.01pF的固定电容器是否有充电现象，可判断汉中变频控制柜其好坏。由于电容量太小，也可以自制的放大电路来配合测量。测量时，将电路的黑、红两端分别接万用表的黑表笔和红表笔。对于2200以下的电容器，可并接在电路的1端与2端之间；大于2200F的电容器，可并接在电路的2端与3端之间。通过观察正、反向测量时表针向右摆动的幅度，即可判断出该电容器是否失效(与测量电解电容器时的判断方法类似)可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管进行放大，两只三极管的B值均为100以上，且穿透电流要小。电容器接到复合管的输入端，万用表选用Rxlk挡，红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆动幅度加大，从而便于汉中变频控制柜观察。